Компания Intel начнет выпуск микропроцессоров, в основе которых будут лежать транзисторы новой структуры 3-D Tri-Gate, сообщается в поступившем в редакцию "Ленты.ру" пресс-релизе.
Португальские исследователи из Нового лиссабонского университета (Universidade Nova de Lisboa) под руководством Эльвиры Фортунато (Elvira Fortunato) создали первые полевые транзисторы на основе бумаги, разместив устройства сразу на двух сторонах обычного листа, пишет ZDNet. Это позволило обычной бумаге одновременно стать в транзисторе подложкой и изолятором.
Китайский ученый Вэйсяо Хуан (Weixiao Huang) создал первый в мире транзистор на основе нитрида галлия GaN, сообщает Physorg. По своим характеристикам он значительно превосходит используемые сегодня кремниевые аналоги и может работать в самых экстремальных условиях. Разработанная Хуаном технология позволяет интегрировать на один чип несколько важных функций, что невозможно осуществить, используя кремний. Поэтому переход с кремниевых транзисторов на GaN-транзисторы позволит значительно упростить электронные схемы.
Корпорация Intel первой выпустила микропроцессор с более чем двумя миллиардами транзисторов, передает BBC News. Четырехъядерный чип Tukwila предназначен не для настольных компьютеров, а для высокопроизводительных серверов.